製造商產品編號:
R8006KNXC7G
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
R8006KNXC7G-DG
描述:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
详细描述:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 52W (Tc) Through Hole TO-220FM
庫存:
790 全新原裝現貨
12996117
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R8006KNXC7G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 4mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
650 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
52W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220FM
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
R8006
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
846-R8006KNXC7GTR
846-R8006KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8006KNXC7GDKR-DG
846-R8006KNXC7GCT
846-R8006KNXC7GDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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