製造商產品編號:
R6030KNZ1C9
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
R6030KNZ1C9-DG
描述:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247
庫存:
13526118
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
R6030KNZ1C9 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
30A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2350 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
305W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
R6030
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
R6030KNZ1C9DKR
R6030KNZ1C9CTINACTIVE
R6030KNZ1C9CT
R6030KNZ1C9DKR-ND
R6030KNZ1C9TR-ND
R6030KNZ1C9TR
R6030KNZ1C9DKRINACTIVE
R6030KNZ1C9CT-ND
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPW60R099CPFKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
228
部件號碼
IPW60R099CPFKSA1-DG
單位價格
4.37
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
RW1A013ZPT2R
MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
R6004JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
RCX330N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM
