R6024ENZ1C9
製造商產品編號:

R6024ENZ1C9

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

R6024ENZ1C9-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 24A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247

庫存:

13526489
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R6024ENZ1C9 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
24A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1650 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
120W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247
包裝 / 外殼
TO-247-3

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
450

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IXFH42N60P3
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXFH42N60P3-DG
單位價格
4.39
替代類型
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製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
450
部件號碼
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單位價格
2.72
替代類型
Direct
部件編號
IPW60R160P6FKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
230
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