IXFH36N60P
製造商產品編號:

IXFH36N60P

Product Overview

製造商:

IXYS

零件編號:

IXFH36N60P-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 36A TO247AD
详细描述:
N-Channel 600 V 36A (Tc) 650W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

庫存:

12911587
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

IXFH36N60P 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Tube
系列
HiPerFET™, Polar
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
36A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 4mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
5800 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
650W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247AD (IXFH)
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
IXFH36

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
30

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
SCT3120ALGC11
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
6940
部件號碼
SCT3120ALGC11-DG
單位價格
4.30
替代類型
Similar
部件編號
IPW60R190P6FKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
164
部件號碼
IPW60R190P6FKSA1-DG
單位價格
1.45
替代類型
Similar
部件編號
SPW20N60C3FKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2123
部件號碼
SPW20N60C3FKSA1-DG
單位價格
2.91
替代類型
Similar
部件編號
STW24N60M2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
562
部件號碼
STW24N60M2-DG
單位價格
1.39
替代類型
Similar
部件編號
STW24N60DM2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
14
部件號碼
STW24N60DM2-DG
單位價格
2.22
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
vishay-siliconix

IRF740LCL

MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK

vishay-siliconix

IRLR024TR

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

vishay-siliconix

IRFI9630GPBF

MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3

vishay-siliconix

IRLI620GPBF

MOSFET N-CH 200V 4A TO220-3