製造商產品編號:
R6020ENZ1C9
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
R6020ENZ1C9-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
庫存:
13527199
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R6020ENZ1C9 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
120W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247
包裝 / 外殼
TO-247-3
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
450
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPW65R190C7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
220
部件號碼
IPW65R190C7XKSA1-DG
單位價格
1.69
替代類型
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TK20N60W,S1VF
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15
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