製造商產品編號:
IPW65R190C7XKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPW65R190C7XKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
详细描述:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
庫存:
220 全新原裝現貨
12805488
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IPW65R190C7XKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™ C7
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
13A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 290µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
72W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
IPW65R190
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
2156-IPW65R190C7XKSA1
SP001080142
INFINFIPW65R190C7XKSA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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