製造商產品編號:
QS8J11TCR
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
QS8J11TCR-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
详细描述:
Mosfet Array 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8
庫存:
13525231
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QS8J11TCR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏源電壓 （Vdss）
12V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2600pF @ 6V
功率 - 最大值
550mW
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
TSMT8
基本產品編號
QS8J11
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
QS8J11TCRDKR
QS8J11TCRTR
QS8J11TCRCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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