製造商產品編號:
QS6J11TR
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
QS6J11TR-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
详细描述:
Mosfet Array 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
庫存:
4607 全新原裝現貨
13525337
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QS6J11TR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
12V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
770pF @ 6V
功率 - 最大值
600mW
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
TSMT6 (SC-95)
基本產品編號
QS6J11
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
QS6J11TRDKR
QS6J11CT
QS6J11TRCT
QS6J11TRCT-ND
QS6J11TRDKR-ND
QS6J11DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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