VEC2616-TL-H
製造商產品編號:

VEC2616-TL-H

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

VEC2616-TL-H-DG

描述:

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A SOT28
详细描述:
Mosfet Array 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8

庫存:

12921887
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VEC2616-TL-H 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Discontinued at Digi-Key
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.6V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
505pF @ 20V
功率 - 最大值
1W
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
SOT-28FL/VEC8
基本產品編號
VEC2616

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
VEC2616-TL-H-DG
VEC2616-TL-HOSCT
2156-VEC2616-TL-H-OS
ONSONSVEC2616-TL-H
VEC2616-TL-HOSTR
VEC2616-TL-HOSDKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
QS8M31TR
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
3630
部件號碼
QS8M31TR-DG
單位價格
0.24
替代類型
MFR Recommended
部件編號
ECH8690-TL-H
製造商
onsemi
可用數量
1009
部件號碼
ECH8690-TL-H-DG
單位價格
0.54
替代類型
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