製造商產品編號:
QS8M31TR
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
QS8M31TR-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
详细描述:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
庫存:
3630 全新原裝現貨
13526109
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QS8M31TR 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
60V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
功率 - 最大值
1.1W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
TSMT8
基本產品編號
QS8M31
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
QS8M31DKR
QS8M31CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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