製造商產品編號:
NTD5862NT4G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTD5862NT4G-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 98A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK
庫存:
2391 全新原裝現貨
12841688
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NTD5862NT4G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
98A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
115W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
NTD5862
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
NTD5862NT4GOSTR
NTD5862NT4GOSCT
NTD5862NT4GOSDKR
NTD5862NT4G-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRLR3636TRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
1281
部件號碼
IRLR3636TRLPBF-DG
單位價格
0.75
替代類型
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部件編號
TK6R7P06PL,RQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
22356
部件號碼
TK6R7P06PL,RQ-DG
單位價格
0.31
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