製造商產品編號:
NTB190N65S3HF
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTB190N65S3HF-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
详细描述:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
17 全新原裝現貨
12844452
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NTB190N65S3HF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
FRFET®, SuperFET® III
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 430µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1610 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
162W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
NTB190
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
488-NTB190N65S3HFCT
488-NTB190N65S3HFTR
NTB190N65S3HF-DG
2832-NTB190N65S3HFTR
488-NTB190N65S3HFDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPB60R199CPATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
3260
部件號碼
IPB60R199CPATMA1-DG
單位價格
1.72
替代類型
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DIGI 認證
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