NSBA114YDXV6T1
製造商產品編號:

NSBA114YDXV6T1

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

NSBA114YDXV6T1-DG

描述:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

庫存:

12858686
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NSBA114YDXV6T1 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列,預偏置
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
50V
電阻器 - 基座 (R1)
10kOhms
電阻器 - 發射極基極 (R2)
47kOhms
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止(最大值)
500nA
頻率 - 過渡
-
功率 - 最大值
500mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
SOT-563
基本產品編號
NSBA114

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
4,000
其他名稱
2156-NSBA114YDXV6T1-ONTR
NSBA114YDXV6T1OS
ONSONSNSBA114YDXV6T1

環境及出口分類

RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
EMB4T2R
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
0
部件號碼
EMB4T2R-DG
單位價格
0.07
替代類型
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可用數量
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單位價格
0.06
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製造商
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3990
部件號碼
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單位價格
0.05
替代類型
Direct
部件編號
RN2911FE(TE85L,F)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
3975
部件號碼
RN2911FE(TE85L,F)-DG
單位價格
0.04
替代類型
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