製造商產品編號:
NSBA114YDXV6T1
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NSBA114YDXV6T1-DG
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
庫存:
12858686
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NSBA114YDXV6T1 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
47kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大值）
500nA
頻率 - 過渡
-
功率 - 最大值
500mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-563, SOT-666
供應商設備包
SOT-563
基本產品編號
NSBA114
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
4,000
其他名稱
2156-NSBA114YDXV6T1-ONTR
NSBA114YDXV6T1OS
ONSONSNSBA114YDXV6T1
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
RN2911FE(TE85L,F)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
3975
部件號碼
RN2911FE(TE85L,F)-DG
單位價格
0.04
替代類型
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