製造商產品編號:
SMUN5115DW1T1G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
SMUN5115DW1T1G-DG
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存:
1150 全新原裝現貨
12858765
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SMUN5115DW1T1G 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 雙極性晶體管陣列，預偏置
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50V
電阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
電阻器 - 發射極基極 （R2）
-
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大值）
500nA
頻率 - 過渡
-
功率 - 最大值
187mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本產品編號
SMUN5115
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SMUN5115DW1T1GOSDKR
SMUN5115DW1T1GOSTR
SMUN5115DW1T1GOSCT
SMUN5115DW1T1G-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
RN2911,LF
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
3000
部件號碼
RN2911,LF-DG
單位價格
0.03
替代類型
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