製造商產品編號:
FQU13N10LTU
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FQU13N10LTU-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole IPAK
庫存:
12846052
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FQU13N10LTU 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
520 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
IPAK
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
FQU13N10
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
70
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TSM900N10CH X0G
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
0
部件號碼
TSM900N10CH X0G-DG
單位價格
0.26
替代類型
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DMN10H170SK3-13
製造商
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可用數量
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單位價格
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