製造商產品編號:
FCP125N65S3R0
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCP125N65S3R0-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3
庫存:
800 全新原裝現貨
12846058
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FCP125N65S3R0 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
SuperFET® III
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
24A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 2.4mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1940 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
181W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FCP125
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
FCP125N65S3R0OS
FCP125N65S3R0-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPP60R099C7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
0
部件號碼
IPP60R099C7XKSA1-DG
單位價格
2.11
替代類型
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部件編號
IPP60R125P6XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
0
部件號碼
IPP60R125P6XKSA1-DG
單位價格
2.16
替代類型
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部件編號
TK25E60X,S1X
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
13
部件號碼
TK25E60X,S1X-DG
單位價格
1.80
替代類型
Direct
DIGI 認證
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