FQP7N20
製造商產品編號:

FQP7N20

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQP7N20-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
详细描述:
N-Channel 200 V 6.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3

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FQP7N20 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6.6A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
400 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
63W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FQP7

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRF630
製造商
Harris Corporation
可用數量
11535
部件號碼
IRF630-DG
單位價格
0.80
替代類型
Similar
部件編號
RCX080N25
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
246
部件號碼
RCX080N25-DG
單位價格
0.43
替代類型
Direct
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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