IRF630
製造商產品編號:

IRF630

Product Overview

製造商:

Harris Corporation

零件編號:

IRF630-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
详细描述:
N-Channel 200 V 9A (Tc) Through Hole TO-220AB

庫存:

11535 全新原裝現貨
13077231
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IRF630 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
包裝
Tube
系列
-
包裝
Tube
零件狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET 特性
-
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
353
其他名稱
2156-IRF630-HC
HARHARIRF630

環境及出口分類

RoHS 狀態
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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