製造商產品編號:
IRF630
Product Overview
製造商:
Harris Corporation
零件編號:
IRF630-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
详细描述:
N-Channel 200 V 9A (Tc) Through Hole TO-220AB
庫存:
11535 全新原裝現貨
13077231
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IRF630 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
包裝
Tube
系列
-
包裝
Tube
零件狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
43 nC @ 10 V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
800 pF @ 25 V
FET 特性
-
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
353
其他名稱
2156-IRF630-HC
HARHARIRF630
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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