FQB12N60CTM
製造商產品編號:

FQB12N60CTM

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQB12N60CTM-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

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FQB12N60CTM 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2290 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.13W (Ta), 225W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FQB1

資料表及文件

HTML 資料表
FQB12N60CTM-DG
資料表
FQB12N60CTM

額外資訊

標準套餐
800

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
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製造商
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0
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