FDG6306P
製造商產品編號:

FDG6306P

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FDG6306P-DG

描述:

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
详细描述:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

庫存:

30 全新原裝現貨
12847995
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FDG6306P 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
114pF @ 10V
功率 - 最大值
300mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
SC-88 (SC-70-6)
基本產品編號
FDG6306

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
FDG6306P-DG
ONSONSFDG6306P
FDG6306PTR
FDG6306PCT
FDG6306PDKR
2156-FDG6306P-OS

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
NTJD4152PT1G
製造商
onsemi
可用數量
15411
部件號碼
NTJD4152PT1G-DG
單位價格
0.10
替代類型
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