製造商產品編號:
FDMD86100
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDMD86100-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
详细描述:
Mosfet Array 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
庫存:
1093 全新原裝現貨
12848017
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FDMD86100 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
產品狀態
Last Time Buy
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
100V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2060pF @ 50V
功率 - 最大值
2.2W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerWDFN
供應商設備包
8-Power 5x6
基本產品編號
FDMD86
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDMD86100CT
FDMD86100TR
FDMD86100DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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