製造商產品編號:
FDB5800
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDB5800-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
460 全新原裝現貨
12836870
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FDB5800 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
14A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6625 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
242W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FDB580
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
FDB5800DKR
FDB5800CT
FDB5800TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BUK966R5-60E,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
4779
部件號碼
BUK966R5-60E,118-DG
單位價格
0.89
替代類型
Similar
部件編號
IPB80N06S405ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
753
部件號碼
IPB80N06S405ATMA2-DG
單位價格
0.78
替代類型
Similar
部件編號
IPB054N06N3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
1043
部件號碼
IPB054N06N3GATMA1-DG
單位價格
0.72
替代類型
Similar
部件編號
IPB80N06S407ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
1176
部件號碼
IPB80N06S407ATMA2-DG
單位價格
0.68
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
3LP01M-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
BS170-D75Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
