製造商產品編號:
IPB054N06N3GATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPB054N06N3GATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
庫存:
1043 全新原裝現貨
13063972
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IPB054N06N3GATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Last Time Buy
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
80A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 58µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6600 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
115W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IPB054
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
IPB054N06N3 G
2156-IPB054N06N3GATMA1
IPB054N06N3GATMA1TR
IFEINFIPB054N06N3GATMA1
IPB054N06N3 GCT
IPB054N06N3GATMA1DKR
SP000446782
IPB054N06N3 GDKR-ND
IPB054N06N3 GCT-ND
IPB054N06N3 GDKR
IPB054N06N3GATMA1CT
IPB054N06N3 GTR-ND
IPB054N06N3G
IPB054N06N3 G-ND
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BUK966R5-60E,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
4779
部件號碼
BUK966R5-60E,118-DG
單位價格
0.89
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STB150NF55T4
製造商
STMicroelectronics
可用數量
969
部件號碼
STB150NF55T4-DG
單位價格
1.68
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRF3205ZSTRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2650
部件號碼
IRF3205ZSTRLPBF-DG
單位價格
0.70
替代類型
MFR Recommended
部件編號
PSMN4R6-60BS,118
製造商
Nexperia USA Inc.
可用數量
10374
部件號碼
PSMN4R6-60BS,118-DG
單位價格
0.87
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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