FCP25N60N
製造商產品編號:

FCP25N60N

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FCP25N60N-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
详细描述:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-220-3

庫存:

12848862
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

FCP25N60N 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
SupreMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
25A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
216W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FCP25

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP34NM60N
製造商
STMicroelectronics
可用數量
458
部件號碼
STP34NM60N-DG
單位價格
5.09
替代類型
Similar
部件編號
STP28NM60ND
製造商
STMicroelectronics
可用數量
133
部件號碼
STP28NM60ND-DG
單位價格
3.12
替代類型
Similar
部件編號
SIHP28N65E-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
SIHP28N65E-GE3-DG
單位價格
2.49
替代類型
Similar
部件編號
AOT42S60L
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
16990
部件號碼
AOT42S60L-DG
單位價格
2.63
替代類型
Similar
部件編號
IPP60R099CPXKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
1235
部件號碼
IPP60R099CPXKSA1-DG
單位價格
4.08
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
alpha-and-omega-semiconductor

AON6405

MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN

onsemi

FQP2N40-F080

MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3

onsemi

FDS8874

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

onsemi

FCH47N60N

MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3