製造商產品編號:
FCH47N60N
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCH47N60N-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
详细描述:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 368W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
12848872
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FCH47N60N 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
-
系列
SupreMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
47A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
6700 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
368W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
FCH47N60
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
1990-FCH47N60N
2832-FCH47N60N
ONSONSFCH47N60N
2156-FCH47N60N-OS
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPW60R060P7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
60
部件號碼
IPW60R060P7XKSA1-DG
單位價格
3.01
替代類型
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Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
30
部件號碼
TK39N60X,S1F-DG
單位價格
3.43
替代類型
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部件編號
FCH47N60N
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
1235
部件號碼
FCH47N60N-DG
單位價格
7.96
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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