FCP165N65S3R0
製造商產品編號:

FCP165N65S3R0

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FCP165N65S3R0-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3

庫存:

12838028
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FCP165N65S3R0 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
SuperFET® III
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
19A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 1.9mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
154W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
FCP165

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
2156-FCP165N65S3R0-488

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
SPP20N60C3XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
6171
部件號碼
SPP20N60C3XKSA1-DG
單位價格
2.45
替代類型
Similar
部件編號
STP28N60M2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
1020
部件號碼
STP28N60M2-DG
單位價格
1.40
替代類型
Similar
部件編號
FCP165N65S3
製造商
onsemi
可用數量
0
部件號碼
FCP165N65S3-DG
單位價格
1.68
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
FCH165N65S3R0-F155
製造商
onsemi
可用數量
444
部件號碼
FCH165N65S3R0-F155-DG
單位價格
2.80
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
SIHP22N60AE-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
SIHP22N60AE-GE3-DG
單位價格
1.72
替代類型
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