FQB9P25TM
製造商產品編號:

FQB9P25TM

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FQB9P25TM-DG

描述:

MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
详细描述:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

庫存:

12838031
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FQB9P25TM 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
QFET®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
250 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FQB9

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
800
其他名稱
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRF9640STRLPBF
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
5539
部件號碼
IRF9640STRLPBF-DG
單位價格
0.92
替代類型
Similar
部件編號
IRF5210STRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
7933
部件號碼
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單位價格
1.26
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