製造商產品編號:
FDD4N60NZ
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDD4N60NZ-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 3.4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
庫存:
12835966
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FDD4N60NZ 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
UniFET-II™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
3.4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
510 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
114W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FDD4N60
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
FDD4N60NZ-DG
FDD4N60NZCT
FDD4N60NZTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD80R2K4P7ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2421
部件號碼
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
單位價格
0.29
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