ECH8601M-TL-H-P
製造商產品編號:

ECH8601M-TL-H-P

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

ECH8601M-TL-H-P-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
详细描述:
Mosfet Array 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH

庫存:

12850614
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

ECH8601M-TL-H-P 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源電壓 (Vdss)
24V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.3V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
8-ECH
基本產品編號
ECH8601

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
3,000

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
ECH8697R-TL-W
製造商
onsemi
可用數量
7946
部件號碼
ECH8697R-TL-W-DG
單位價格
0.18
替代類型
Direct
DIGI 認證
相關產品
alpha-and-omega-semiconductor

AO9926C

MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC

onsemi

FDMS3660S-F121

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56

infineon-technologies

BSD235N L6327

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

onsemi

FW907-TL-E

MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP