製造商產品編號:
FDMS3660S-F121
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FDMS3660S-F121-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
详细描述:
Mosfet Array 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
庫存:
12850672
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FDMS3660S-F121 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
PowerTrench®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.7V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
29nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1765pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
供應商設備包
Power56
基本產品編號
FDMS3660
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
FDMS3660S-F121CT
FDMS3660S_F121TR-DG
FDMS3660S-F121TR
FDMS3660S_F121CT
FDMS3660S_F121CT-DG
FDMS3660S_F121DKR-DG
FDMS3660S_F121
FDMS3660S_F121TR
FDMS3660S-F121DKR
FDMS3660S_F121DKR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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