PHKD6N02LT,518
製造商產品編號:

PHKD6N02LT,518

Product Overview

製造商:

Nexperia USA Inc.

零件編號:

PHKD6N02LT,518-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 10.9A 8SO
详细描述:
Mosfet Array 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO

庫存:

12829211
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PHKD6N02LT,518 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Nexperia
包裝
-
系列
TrenchMOS™
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
10.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
15.3nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 10V
功率 - 最大值
4.17W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SO
基本產品編號
PHKD6

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
PHKD6N02LT /T3-DG
2156-PHKD6N02LT,518-1727
PHKD6N02LT /T3
934056831518

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
2 (1 Year)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IRF8915TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
0
部件號碼
IRF8915TRPBF-DG
單位價格
0.78
替代類型
Similar
部件編號
NTMD6N02R2G
製造商
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可用數量
9878
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單位價格
0.26
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單位價格
0.44
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