製造商產品編號:
PHKD6N02LT,518
Product Overview
製造商:
Nexperia USA Inc.
零件編號:
PHKD6N02LT,518-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 10.9A 8SO
详细描述:
Mosfet Array 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO
庫存:
12829211
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PHKD6N02LT,518 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Nexperia
包裝
-
系列
TrenchMOS™
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 3A, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
15.3nC @ 5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
950pF @ 10V
功率 - 最大值
4.17W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SO
基本產品編號
PHKD6
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
PHKD6N02LT /T3-DG
2156-PHKD6N02LT,518-1727
PHKD6N02LT /T3
934056831518
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
2 (1 Year)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SI9926CDY-T1-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
19493
部件號碼
SI9926CDY-T1-GE3-DG
單位價格
0.35
替代類型
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