製造商產品編號:
PMGD290XN,115
Product Overview
製造商:
Nexperia USA Inc.
零件編號:
PMGD290XN,115-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
详细描述:
Mosfet Array 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
庫存:
57783 全新原裝現貨
12829455
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PMGD290XN,115 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Nexperia
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
產品狀態
Not For New Designs
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
860mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
0.72nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
34pF @ 20V
功率 - 最大值
410mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
6-TSSOP
基本產品編號
PMGD290
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
568-2366-1-DG
568-2366-1
568-2366-2
5202-PMGD290XN,115TR
1727-3126-6
934057731115
1727-3126-2
PMGD290XN115
568-2366-2-DG
PMGD290XN T/R
1727-3126-1
568-2366-6-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
BSD235NH6327XTSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
82078
部件號碼
BSD235NH6327XTSA1-DG
單位價格
0.08
替代類型
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部件編號
BSD840NH6327XTSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
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部件號碼
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單位價格
0.06
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