製造商產品編號:
GAN080-650EBEZ
Product Overview
製造商:
Nexperia USA Inc.
零件編號:
GAN080-650EBEZ-DG
描述:
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
详细描述:
N-Channel 650 V 29A (Ta) 240W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
庫存:
2228 全新原裝現貨
13001071
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
GAN080-650EBEZ 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Nexperia
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
29A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 8A, 6V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 30.7mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.2 nC @ 6 V
Vgs （最大值）
+7V, -6V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
225 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
240W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包
DFN8080-8
包裝 / 外殼
8-VDFN Exposed Pad
基本產品編號
GAN080
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
934665901332
5202-GAN080-650EBEZTR
1727-GAN080-650EBEZDKR
1727-GAN080-650EBEZCT
1727-GAN080-650EBEZTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
SCT4045DRHRC15
750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
G26P04K
P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
RS6L120BGTB1
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
