RS6L120BGTB1
製造商產品編號:

RS6L120BGTB1

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

RS6L120BGTB1-DG

描述:

NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
详细描述:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

庫存:

2236 全新原裝現貨
13001101
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RS6L120BGTB1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
60 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
120A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
3520 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
104W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-HSOP
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
846-RS6L120BGTB1CT
846-RS6L120BGTB1TR
846-RS6L120BGTB1DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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