IXTP8N65X2M
製造商產品編號:

IXTP8N65X2M

Product Overview

製造商:

IXYS

零件編號:

IXTP8N65X2M-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 4A TO220
详细描述:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220

庫存:

46 全新原裝現貨
12905806
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

IXTP8N65X2M 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Littelfuse
包裝
Tube
系列
Ultra X2
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
4A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
32W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IXTP8

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP10NM60ND
製造商
STMicroelectronics
可用數量
631
部件號碼
STP10NM60ND-DG
單位價格
0.91
替代類型
Similar
部件編號
FCP600N60Z
製造商
Fairchild Semiconductor
可用數量
781
部件號碼
FCP600N60Z-DG
單位價格
1.07
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
diodes

ZVP2106AS

MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3

vishay-siliconix

IRFR9024TRR

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

IRF9520STRLPBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

diodes

ZXMN6A07FTA

MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3