FCP600N60Z
製造商產品編號:

FCP600N60Z

Product Overview

製造商:

Fairchild Semiconductor

零件編號:

FCP600N60Z-DG

描述:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
详细描述:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220-3

庫存:

781 全新原裝現貨
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FCP600N60Z 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
包裝
Bulk
系列
SuperFET® II
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
89W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3

額外資訊

標準套餐
258
其他名稱
2156-FCP600N60Z
ONSFSCFCP600N60Z

環境及出口分類

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI 認證
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