製造商產品編號:
SPB11N60C3ATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
SPB11N60C3ATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
详细描述:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
庫存:
2703 全新原裝現貨
12806600
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SPB11N60C3ATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.9V @ 500µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3-2
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
SPB11N60
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
SPB11N60C3
SPB11N60C3ATMA1TR
SPB11N60C3INDKR
SPB11N60C3XTINTR-DG
SPB11N60C3XTINTR
SPB11N60C3ATMA1DKR
SPB11N60C3INDKR-DG
SPB11N60C3XT
SPB11N60C3INCT-NDR
SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3INTR
SPB11N60C3XTINCT-DG
SPB11N60C3INTR-NDR
SPB11N60C3ATMA1CT
SP000013519
SPB11N60C3INCT-DG
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3INTR-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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