製造商產品編號:
IPG20N06S4L14ATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPG20N06S4L14ATMA1-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
详细描述:
Mosfet Array 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
庫存:
12800807
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IPG20N06S4L14ATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Discontinued at Digi-Key
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
60V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 20µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
39nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2890pF @ 25V
功率 - 最大值
50W
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
供應商設備包
PG-TDSON-8-4
基本產品編號
IPG20N
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
SP000705540
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPG20N06S4L14ATMA2
製造商
Infineon Technologies
可用數量
9550
部件號碼
IPG20N06S4L14ATMA2-DG
單位價格
0.48
替代類型
Direct
DIGI 認證
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