IPG20N06S4L11ATMA1
製造商產品編號:

IPG20N06S4L11ATMA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IPG20N06S4L11ATMA1-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
详细描述:
Mosfet Array 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4

庫存:

4720 全新原裝現貨
12800855
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IPG20N06S4L11ATMA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.2V @ 28µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
4020pF @ 25V
功率 - 最大值
65W
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
供應商設備包
PG-TDSON-8-4
基本產品編號
IPG20N

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
5,000
其他名稱
IPG20N06S4L11ATMA1-DG
448-IPG20N06S4L11ATMA1DKR
448-IPG20N06S4L11ATMA1TR
448-IPG20N06S4L11ATMA1CT
SP000705550

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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