製造商產品編號:
IPG20N06S4L11ATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPG20N06S4L11ATMA1-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
详细描述:
Mosfet Array 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
庫存:
4720 全新原裝現貨
12800855
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
IPG20N06S4L11ATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
60V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 28µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
53nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4020pF @ 25V
功率 - 最大值
65W
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
供應商設備包
PG-TDSON-8-4
基本產品編號
IPG20N
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
5,000
其他名稱
IPG20N06S4L11ATMA1-DG
448-IPG20N06S4L11ATMA1DKR
448-IPG20N06S4L11ATMA1TR
448-IPG20N06S4L11ATMA1CT
SP000705550
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
IPG20N06S3L-23
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
IPG20N06S2L65AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
FF23MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE