製造商產品編號:
IPDD60R125G7XTMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPDD60R125G7XTMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
详细描述:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
庫存:
1692 全新原裝現貨
12803150
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IPDD60R125G7XTMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ G7
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 320µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1080 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
120W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-HDSOP-10-1
包裝 / 外殼
10-PowerSOP Module
基本產品編號
IPDD60
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,700
其他名稱
IPDD60R125G7XTMA1DKR
SP001632876
2156-IPDD60R125G7XTMA1
IPDD60R125G7XTMA1CT
IPDD60R125G7XTMA1TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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