IPA65R660CFDXKSA1
製造商產品編號:

IPA65R660CFDXKSA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

IPA65R660CFDXKSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111

庫存:

12803156
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IPA65R660CFDXKSA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
6A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 200µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
27.8W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3-111
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
IPA65R660

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
500
其他名稱
IPA65R660CFD-DG
IPA65R660CFD
SP000838284
2156-IPA65R660CFDXKSA1-448

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STF11N65M2
製造商
STMicroelectronics
可用數量
27
部件號碼
STF11N65M2-DG
單位價格
0.71
替代類型
MFR Recommended
部件編號
TK8A65D(STA4,Q,M)
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
53
部件號碼
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
單位價格
0.92
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STF9NM60N
製造商
STMicroelectronics
可用數量
1359
部件號碼
STF9NM60N-DG
單位價格
1.11
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STF10N95K5
製造商
STMicroelectronics
可用數量
104
部件號碼
STF10N95K5-DG
單位價格
1.37
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STP10NK70ZFP
製造商
STMicroelectronics
可用數量
931
部件號碼
STP10NK70ZFP-DG
單位價格
1.78
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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