製造商產品編號:
IPD60R460CEATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPD60R460CEATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
详细描述:
N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
庫存:
12803394
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
IPD60R460CEATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™ CE
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9.1A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 280µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
620 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
74W (Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO252-3
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IPD60R
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
2156-IPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1CT
2156-IPD60R460CEATMA1-ITTR-DG
IFEINFIPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1TR
SP001276024
IPD60R460CEATMA1DKR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
相關產品
IRF9Z34NSPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IPP65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
IRFSL4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A TO262