製造商產品編號:
IPD60R280P7ATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPD60R280P7ATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
详细描述:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
庫存:
12804839
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IPD60R280P7ATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ P7
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
12A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 190µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
761 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
53W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO252-3
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IPD60R
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
SP001658316
IPD60R280P7ATMA1DKR
2156-IPD60R280P7ATMA1
ROCINFIPD60R280P7ATMA1
IPD60R280P7ATMA1CT
IPD60R280P7ATMA1-DG
IPD60R280P7ATMA1TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
R6014YND3TL1
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
2476
部件號碼
R6014YND3TL1-DG
單位價格
1.21
替代類型
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DIGI 認證
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