製造商產品編號:
IPB60R099C6ATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPB60R099C6ATMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
庫存:
2845 全新原裝現貨
12804845
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IPB60R099C6ATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ C6
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
37.9A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 1.21mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
119 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2660 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
278W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO263-3
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
IPB60R099
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
IPB60R099C6
IPB60R099C6ATMA1DKR
IPB60R099C6DKR-DG
IPB60R099C6CT-DG
IPB60R099C6TR-DG
2156-IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1TR
IPB60R099C6-DG
IPB60R099C6CT
INFINFIPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1CT
IPB60R099C6DKR
SP000687468
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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