製造商產品編號:
IPD50R800CEATMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPD50R800CEATMA1-DG
描述:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
庫存:
12799696
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IPD50R800CEATMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™ CE
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
500 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 130µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
280 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
60W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO252-3
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IPD50R
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
IPD50R800CEATMA1-DG
SP001117710
IPD50R800CEATMA1TR
IPD50R800CEATMA1CT
IPD50R800CEATMA1DKR
ROCINFIPD50R800CEATMA1
2156-IPD50R800CEATMA1-ITTR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD50R800CEAUMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
5199
部件號碼
IPD50R800CEAUMA1-DG
單位價格
0.23
替代類型
Direct
DIGI 認證
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