製造商產品編號:
IPD50R280CEBTMA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPD50R280CEBTMA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
详细描述:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
庫存:
12799697
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
IPD50R280CEBTMA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
CoolMOS™ CE
產品狀態
Discontinued at Digi-Key
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
500 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
13A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 350µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
32.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
773 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
92W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TO252-3-11
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IPD50R
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
IPD50R280CEINDKR
IPD50R280CEINCT-DG
IPD50R280CEIN
IPD50R280CEINCT
IPD50R280CEBTMA1CT
IPD50R280CEINTR-DG
-IPD50R280CE
IPD50R280CEBTMA1DKR
IPD50R280CEINDKR-DG
IPD50R280CEBTMA1TR
IPD50R280CEIN-DG
IPD50R280CE
SP000992082
IPD50R280CEINTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD33CN10NGATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
30085
部件號碼
IPD33CN10NGATMA1-DG
單位價格
0.45
替代類型
Direct
DIGI 認證
相關產品
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP