BSC032N04LSATMA1
製造商產品編號:

BSC032N04LSATMA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

BSC032N04LSATMA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
详细描述:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 98A (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

庫存:

線上報價請求
12799715
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

BSC032N04LSATMA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
40 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
21A (Ta), 98A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1800 pF @ 20 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 52W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-TDSON-8-6
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC032

資料表及文件

HTML 資料表
BSC032N04LSATMA1-DG
資料表
BSC032N04LSATMA1
數據表
BSC032N04LS

額外資訊

標準套餐
5,000
其他名稱
BSC032N04LSATMA1-DG
BSC032N04LSATMA1TR
BSC032N04LSATMA1CT
2156-BSC032N04LSATMA1-448
SP001067018
BSC032N04LSATMA1DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
DMTH4005SPSQ-13
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
2495
部件號碼
DMTH4005SPSQ-13-DG
單位價格
0.43
替代類型
MFR Recommended
部件編號
FDMS8333L
製造商
onsemi
可用數量
2597
部件號碼
FDMS8333L-DG
單位價格
0.48
替代類型
Direct
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
相關產品
infineon-technologies

IPB260N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

infineon-technologies

IPA126N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP

infineon-technologies

IPA60R380E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP

infineon-technologies

BSZ22DN20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON