製造商產品編號:
BSP613PL6327HUSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSP613PL6327HUSA1-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
详细描述:
P-Channel 60 V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
庫存:
12802477
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
BSP613PL6327HUSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
SIPMOS®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.9A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
875 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-SOT223-4
包裝 / 外殼
TO-261-4, TO-261AA
資料表及文件
HTML 資料表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
BSP613P L6327
BSP613PL6327INTR
BSP613PL6327XT
BSP613PL6327HUSA1DKR
BSP613PL6327INDKR-DG
BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT-DG
BSP613P L6327-DG
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327HUSA1TR
BSP613PL6327INDKR
BSP613PL6327HUSA1CT
BSP613PL6327INTR-DG
SP000089224
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BSP613PH6327XTSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
6365
部件號碼
BSP613PH6327XTSA1-DG
單位價格
0.47
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
ZXMP6A17GTA
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
63041
部件號碼
ZXMP6A17GTA-DG
單位價格
0.18
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
64-2155PBF
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK
IPW60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
BSS606NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
