製造商產品編號:
IPW60R099P6XKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPW60R099P6XKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
详细描述:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
庫存:
12802506
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IPW60R099P6XKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™ P6
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
37.9A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 1.21mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3330 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
278W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
IPW60R099
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
2156-IPW60R099P6XKSA1
SP001114658
INFINFIPW60R099P6XKSA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TSM60NB099PW C1G
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
2055
部件號碼
TSM60NB099PW C1G-DG
單位價格
4.18
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IPZ60R099P6FKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
222
部件號碼
IPZ60R099P6FKSA1-DG
單位價格
3.27
替代類型
Parametric Equivalent
部件編號
R6027YNZ4C13
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
600
部件號碼
R6027YNZ4C13-DG
單位價格
2.81
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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