BSD816SNL6327HTSA1
製造商產品編號:

BSD816SNL6327HTSA1

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

BSD816SNL6327HTSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
详细描述:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO

庫存:

12799410
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

BSD816SNL6327HTSA1 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
950mV @ 3.7µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (最大值)
±8V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
500mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-SOT363-PO
包裝 / 外殼
6-VSSOP, SC-88, SOT-363

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
BSD816SN L6327CT
BSD816SN L6327CT-DG
SP000464868
BSD816SNL6327HTSA1CT
BSD816SNL6327HTSA1TR
BSD816SN L6327DKR
BSD816SNL6327HTSA1DKR
BSD816SN L6327DKR-DG
BSD816SN L6327TR-DG
BSD816SNL6327
BSD816SN L6327
BSD816SN L6327-DG

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
相關產品
infineon-technologies

BSC16DN25NS3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5

infineon-technologies

BSC0902NSATMA1

MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON

infineon-technologies

BSS84PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

infineon-technologies

BSS138N E6433

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3